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(来源:上观新闻)
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在早期阶段🔠🈷,在单颗已经🌓🇸🇱具备百层结⛏🐎构的NAND🇩🇲🛀裸片(die)之🇲🇺😸上,继续进行芯🈲⌚片级堆叠🤠,将多个die⏺👡叠加至十💳👩👩👦👦余层,🎍👯从而把存储密度从👢“百层”放🗡大到“数千层”🏈🧫;长远来看,控🇹🇻制与外围电路💵被整体迁移至基🇧🇦础裸片(base⚒ di🧩⬅e),上层只👷♀️保留纯粹的存👩🏭🤕储单元,使堆📆📡叠从“堆芯片”🇳🇿🇾🇹演进为“堆单👙😂元”,层数由🙄日韩中文不卡此迈向“万级”🥵🇵🇦。
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